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L'avanza di e tecnulugie di Laser Semicondductor hè statu trasfurmatu, trasfurmazione di e migliorie nouscate in a performance, efficienza operativa, è aurazioni di Ste lasers. E versioni d'alta putenza sò semprutamente impiegati à traversu un Spettru di Applicazioni, chì di Candizie di Commerciale, tramindui sistemi di scurariu è extreteriali è avanzati è artati. Questi laser sofisticati sò in prima vista di parechji settori induttori è sò à u core di a rivalità tecnologica glubale trà e nazioni di punta.
Introducendu a prossima generazione di pila di baro di doodeo di laser
Abbracciate a spinta per i dispositi più chjucu è più efficienti, a nostra impresa hè fieru di svilà userie di conduitaLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Questa seria reperenta avventura, incorpace cutting-edge muvicipante, materiale di interfinu, o guadagnà
Incuntrà a sfida di e dumande di cuncentrazione aumentata guidata da a miniaturi di l'industria, avemu ingegnatu u pionariu LM-808-P0.38-0 unità. Stu mudellu di terra nant'à riduzione drammatica in u puntu di prudutti conventiali da 0,73mme finu à 0,38mm, compressante sustinsa a stack. Cù a capacità di casa finu à 10 bars, stu rinfriscamentu amplifica u output di u 2000w-rappresentendu un aumentu di u 92% in a densità di u putere otticu.
Disignu Modellu
U nostru LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 Model hè l'epitomu di a funziunalità mettendu cù un disignu compactu chì offre un versatilità A so custruzzione durable è l'usu di i cumpunenti di a cima assicura l'operazione coherente cù a mantenimentu minimu, riduce i disruptions operativi è un vantaghju assuciatu à i settoriali à a critica
Pionier in suluzioni di gestione termica
U LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 I materiali terreni superiori chì allineanu cù u coefficiente di u Bar (CTE), assicurendu a dissipusizione di calore. Applicemu l'analisi di l'elementu finite per rializà a gestiria di u paisaghju termale di u dispusitivu, chì a appartene a regulazione innovativa di una muderna termale termenu è stabile-statale è stabile-stato è stabile-stato è stabile-stato
Cuntrollu di prucessu rigurosu
Aderatinazione à i metudi tradiziunali interializati maqualidiva Petodite Potticule Protocovols Disipazione termale, guardarla l'integrità operativa di u produzzione è a so lonquelia.
Specificazioni di u Produttu
U mudellu LM-808-Q2000-f-g10
| Paràmetru | Specificazione |
| Modellu di u produttu | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modalità di operazione | Qcw |
| Freency Pulse | ≤50 hz |
| Larghezza di polvera | 200 US |
| Efficienza | ≤1% |
| Bar | 0,38 mm |
| Potenza per bar | 200 w |
| Nùmeru di bars di bars | ~ 10 |
| WenAngth Central (25 ° C) | 808 nm |
| Largessa spettrale | 2 nm |
| Larghezza spettrale fhmm | ≤ 8m |
| U 90% di larghezza di putenza | ≤Qu nm |
| Divergenza veloce Axis (FHQM) | 35 (Tipico) ° |
| Lenta axis divergenza (FHQM) | 8 (Tipicu) ° |
| Metudu di rinfrescante | TE |
| Coefficienza di a temperatura d'onda | ≤0,28 Nm / ° C |
| Corrente operatore | ≤220 a |
| Corrente di u sogliu | ≤25 a |
| Tenazione operazione | ≤ 9 v |
| Pendenza efficienza per bar | ≥1,1 w / a |
| Efficienza di cunversione | ≥55% |
| Temperatura operativa | -45 ~ 70 ° c |
| Temperatura di almacamentu | -55 ~ 85 ° C |
| Serviziu di serviziu | ≥1 × 10⁹ colpi |
Soluzioni di Laser di Laser in forma di semiconduttori, compacti
I nostri avant-guarde, compact, e poni di lassacie di lascia semiconduli sò pensati micca à esse assai adatta. A cumpetizione di u cliente Individuali Conti di u Clienti Inutili, pruduzzione di bar, è avavarghe, I nostri prudutti sò un testamento per furnisce e soluzioni versatili è innovali. U muniscame di qui unità assicure chì ponu esse misura in una vasta arna di usi, catering in un durata di un piccentu. A nostra dedizione in Soluzioni Per Persiviate Piecariaria hà purtatu à a creazione di i prudutti di bar cù densità di l'utente, affettendu a sperienza di l'utilizatore in modi mai prima.
Tempu post: Dec-25-2023