Presentazione di l'arrays di diodi laser QCW di prossima generazione di Lumispot: un salto in l'innovazione di i semiconduttori

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L'avanzamentu di i tecnulugii laser di semiconductor hè statu trasformativu, cunducendu miglioramenti notevuli in u rendiment, l'efficienza operativa è a durabilità di questi laser.E versioni d'alta putenza sò sempre più impiegate in un spettru di applicazioni, chì varieghja da usi cummirciali in a fabricazione di laser, i dispositi medichi terapeutichi è e soluzioni di visualizazione visuale à e cumunicazioni strategiche, sia terrestri sia extraterrestri, è sistemi di targeting avanzati.Questi laser sofisticati sò in prima linea di parechji settori industriali di punta è sò in u core di a rivalità tecnologica globale trà e nazioni principali.

Introducendu a Next Generation di Laser Diode Bar Stacks

Abbracciandu a spinta per i dispositi più chjuchi è più efficaci, a nostra impresa hè fiera di svelàserie raffreddata à cunduzzioneLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Questa serie rapprisenta un salto in avanti, incorporendu unioni di coalescenza di vacuum d'avanguardia, materiale d'interfaccia, tecnulugia di fusione è gestione termale dinamica per realizà prudutti altamente integrati, operanu cù una efficienza notevole, è vantanu un cuntrollu termale superiore per una affidabilità sostenuta è una vita di serviziu più longa. .

Scontru à a sfida di l'aumentu di e richieste di cuncentrazione di putenza guidata da u cambiamentu di l'industria à a miniaturizazione, avemu ingegneratu l'unità pioniera LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Stu mudellu rivoluzionariu ottene una riduzione drammatica di u pitch di i prudutti di bar cunvinziunali da 0,73 mm finu à 0,38 mm, cumpressione sostanzialmente l'area di emissione di a pila.Cù a capacità di allughjà finu à 10 bars, sta migliione amplifica a pruduzzione di u dispusitivu à più di 2000 W, chì rapprisenta un aumentu di 92% in a densità di putenza ottica sopra i so predecessori.

 

Disegnu modulari

U nostru mudellu LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 hè l'epitome di l'ingegneria meticulosa, chì combina funziunalità cù un disignu compactu chì offre una versatilità senza paragone.A so custruzzione durabile è l'usu di cumpunenti di prima qualità assicura un funziunamentu coherente cù un mantenimentu minimu, riducendu l'interruzioni operative è i costi associati - un vantaghju criticu in settori cum'è a fabricazione industriale è l'assistenza sanitaria.

 

Pioniere in soluzioni di gestione termica

U LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 sfrutta materiali termoconduttivi superiori chì si allineanu cù u coefficiente di espansione termica (CTE) di a barra, assicurendu uniformità è dispersione di calore eccezziunale.Applicamu l'analisi di elementi finiti per predichendu è gestisce u paisaghju termale di u dispusitivu, ottenendu una regulazione precisa di a temperatura per mezu di una cumminazione innovativa di modellazione termale transitoria è stabile.

 

Rigurosu cuntrollu di prucessu

Aderendu à i metudi di saldatura di saldatura dura tradiziunali ma efficaci, i nostri protokolli meticulosi di cuntrollu di u prucessu mantenenu una dissipazione termica ottima, salvaguardendu l'integrità operativa di u pruduttu è a so sicurezza è longevità.

 

Specificazioni di u produttu

U mudellu LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 hè carattarizatu da u so fattore di forma diminutivu, pesu ridottu, efficienza di cunversione elettro-ottica superiore, affidabilità robusta è una vita operativa estesa.

Parametru Specificazione
Modellu di produttu LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0
Modu di funziunamentu QCW
Frequency Pulse ≤ 50 Hz
Larghezza di Pulse 200 noi
Efficienza ≤1%
Pitch Bar 0,38 mm
Potenza Per Bar 200 W
Numero di bars ~ 10
Lunghezza d'onda centrale (25 ° C) 808 nm
Larghezza spettrale 2 nm
Larghezza spettrale FWHM ≤ 4 nm
90% Larghezza di putenza ≤ 6 nm
Divergenza di l'Assi Rapidu (FWHM) 35 (tipica) °
Divergenza di l'Asse Lenta (FWHM) 8 (tipica) °
Metudu di rinfrescante TE
Coefficient di temperatura di lunghezza d'onda ≤0,28 nm/°C
Corrente di operazione ≤ 220 A
Threshold Current ≤ 25 A
Tensione di funziunamentu ≤ 2 V
Efficienza di Pendenza Per Bar ≥1,1 W/A
Efficienza di cunversione ≥55%
Temperature di funziunamentu -45~70 °C
Temperature di almacenamiento -55~85 °C
Vita di serviziu ≥1×10⁹ scatti

Soluzioni Laser Semiconductor Compact Ad Alta Putenza su misura

I nostri stack laser di semiconductor d'avanguardia, compatti, d'alta putenza sò pensati per esse altamente adattabili.Aduprati per risponde à e specificazioni individuali di i clienti cumpresi u conte di bar, a putenza di u putere, è a lunghezza d'onda, i nostri prudutti sò un testimoniu di u nostru impegnu à furnisce soluzioni versatili è innovative.U quadru modulare di queste unità assicura ch'elli ponu esse adattati à una vasta gamma di usi, rispunsendu à una clientella diversa.A nostra dedicazione à e soluzioni persunalizate pioniere hà purtatu à a creazione di prudutti di bar cù una densità di putenza ineguagliata, rinfurzendu l'esperienza di l'utilizatori in modi mai pussibule prima.

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Tempu di post: Dec-25-2023